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UGBT、MOSFET - 單
SGB30N60ATMA1參考圖片

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SGB30N60ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
41A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
112A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值
250W
開關能量
1.29mJ
輸入類型
標準
柵極電荷
140nC
25°C 時 Td(開/關)值
44ns/291ns
測試條件
400V,30A,11 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
400V,30A,11 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
PG-TO263-3
商品其它信息
優勢價格,SGB30N60ATMA1的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 183A 780W TO264
暫無價格
參考庫存:43755
UGBT、MOSFET - 單
IGBT BIPO 600V 40A TO3P
暫無價格
參考庫存:43763
UGBT、MOSFET - 單
IGBT PLUS247
暫無價格
參考庫存:43771
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:43779
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V TO247
暫無價格
參考庫存:9826
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