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UGBT、MOSFET - 單
SGB30N60ATMA1參考圖片

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SGB30N60ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
41A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
112A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值
250W
開關能量
1.29mJ
輸入類型
標準
柵極電荷
140nC
25°C 時 Td（開/關）值
44ns/291ns
測試條件
400V，30A，11 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，30A，11 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
PG-TO263-3
商品其它信息
優勢價格，SGB30N60ATMA1的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A 300W TO268
暫無價格
參考庫存:3752
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 400W TO264
暫無價格
參考庫存:38645
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
暫無價格
參考庫存:38653
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 42A 140W TO247
暫無價格
參考庫存:18165
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
暫無價格
參考庫存:38663
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