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UGBT、MOSFET - 單

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MMIX1G320N60B3

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
400A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
1000A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.5V @ 15V，100A
功率 - 最大值
1000W
開關能量
2.7mJ（開），5mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
585nC
25°C 時 Td（開/關）值
44ns/250ns
測試條件
480V，100A，1 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
66ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
24-PowerSMD，21 引線
供應商器件封裝
24-SMPD
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:34246
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 15A 56W I2PAK
暫無價格
參考庫存:34254
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 440V 15A 107W DPAK
暫無價格
參考庫存:34262
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:34270
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 55W TO220F
暫無價格
參考庫存:34278
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