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UGBT、MOSFET - 單
FGA30T65SHD參考圖片

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FGA30T65SHD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
90A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值
238W
開關能量
598μJ(開),167μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
54.7nC
25°C 時 Td(開/關)值
14.4ns/52.8ns
測試條件
400V,30A,6 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
31.8ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3,SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
暫無價格
參考庫存:10726
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
暫無價格
參考庫存:10413
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD
暫無價格
參考庫存:10340
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 167W TO3PF
暫無價格
參考庫存:13207
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
暫無價格
參考庫存:45417
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