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UGBT、MOSFET - 單
IXYH50N65C3D1參考圖片

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IXYH50N65C3D1

  • IXYS
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  • IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
132A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
250A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，36A
功率 - 最大值
600W
開關能量
800μJ（開），800μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
86nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/90ns
測試條件
400V，36A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
36ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 375W TO-247
暫無價格
參考庫存:5042
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 40A 150W TO263
暫無價格
參考庫存:38145
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 48A 250W TO263
暫無價格
參考庫存:38153
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A TO247-3-46
暫無價格
參考庫存:8720
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
暫無價格
參考庫存:38163
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