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UGBT、MOSFET - 單
RGW00TK65DGVC11參考圖片

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RGW00TK65DGVC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
45A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.9V @ 15V，50A
功率 - 最大值
89W
開關能量
1.18mJ（開），960μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
141nC
25°C 時 Td（開/關）值
52ns/180ns
測試條件
400V，50A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
95ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
暫無價格
參考庫存:16955
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:10700
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO247-3
暫無價格
參考庫存:9716
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 75A 540W TO247
暫無價格
參考庫存:43679
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 60A 375W TO-247
暫無價格
參考庫存:43687
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