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UGBT、MOSFET - 單
STGP8M120DF3參考圖片

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STGP8M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
16A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
32A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.3V @ 15V，8A
功率 - 最大值
2.3V @ 15V，8A
開關能量
390μJ（開），370μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
32nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/126ns
測試條件
600V，8A，33 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
103ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 77W TO220
暫無價格
參考庫存:35344
UGBT、MOSFET - 單
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:35352
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
暫無價格
參考庫存:35360
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
暫無價格
參考庫存:35368
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A DIE
暫無價格
參考庫存:35376
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