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UGBT、MOSFET - 單

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STGWT30HP65FB

制造商:STMicroelectronics
批號:最新
描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
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參數信息

參數	參數值
包裝	管件
系列	HB
零件狀態	有源
IGBT 類型	溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）	650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）	60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)	120A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）	2V @ 15V，30A
功率 - 最大值	260W
開關能量	293μJ（關）
輸入類型	標準
柵極電荷	149nC
25°C 時 Td（開/關）值	-/146ns
測試條件	400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）	140ns
工作溫度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型	通孔
封裝/外殼	TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝	TO-3P

商品其它信息

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推薦型號

圖片	型號	制造商	分類	數據手冊	描述	參考價格	庫存數量
	IRGB6B60KDPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 13A 90W TO220AB	暫無價格	參考庫存:36314
	IRGS4607DTRRPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 11A 58W D2PAK	暫無價格	參考庫存:36330
	IXGP12N60B	IXYS	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 24A 100W TO220AB	暫無價格	參考庫存:36338
	STGB7NB60KDT4	STMicroelectronics	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 600V 14A 80W D2PAK	暫無價格	參考庫存:36346
	FGD3040G2_SN00297	ON Semiconductor	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	INTEGRATED CIRCUIT	暫無價格	參考庫存:36354

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