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UGBT、MOSFET - 單
STGP6M65DF2參考圖片

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STGP6M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
M
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
12A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，6A
功率 - 最大值
88W
開關能量
40μJ（開），136μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
21.2nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/86ns
測試條件
400V，6A，22 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
140ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 45A 600V TO-247
暫無價格
參考庫存:44116
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 140A 483W TO247AC
暫無價格
參考庫存:44124
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
暫無價格
參考庫存:44132
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 48A 150W TO220AB
暫無價格
參考庫存:44140
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 110A 255W D2PAK
暫無價格
參考庫存:44148
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