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UGBT、MOSFET - 單
RGTV60TK65DGVC11參考圖片

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RGTV60TK65DGVC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
33A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.9V @ 15V，30A
功率 - 最大值
76W
開關能量
570μJ（開），500μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
64nC
25°C 時 Td（開/關）值
33ns/105ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
95ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 120A 250W TO263AA
暫無價格
參考庫存:39732
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 430V 20A 125W TO262AA
暫無價格
參考庫存:39740
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 100W TO263
暫無價格
參考庫存:39748
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 160A TO247
暫無價格
參考庫存:39756
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC
暫無價格
參考庫存:39764
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