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UGBT、MOSFET - 單
RGT30NS65DGTL參考圖片

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RGT30NS65DGTL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
45A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，15A
功率 - 最大值
133W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
32nC
25°C 時 Td（開/關）值
18ns/64ns
測試條件
400V，15A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
55ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
LPDS（TO-263S）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
暫無價格
參考庫存:6485
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A TO220F3
暫無價格
參考庫存:6597
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 5A TO252
暫無價格
參考庫存:40795
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 40A TO247
暫無價格
參考庫存:6320
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 480W TO3PN
暫無價格
參考庫存:7902
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