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UGBT、MOSFET - 單
IXXP12N65B4D1參考圖片

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IXXP12N65B4D1

  • IXYS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX4?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
38A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
70A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.95V @ 15V，12A
功率 - 最大值
160W
開關能量
440μJ（開），220μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
34nC
25°C 時 Td（開/關）值
13ns/158ns
測試條件
400V，12A，20 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
43ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
暫無價格
參考庫存:8797
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
暫無價格
參考庫存:41865
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:8960
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
暫無價格
參考庫存:7997
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 290W TO247
暫無價格
參考庫存:6954
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