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UGBT、MOSFET - 單
IXBT42N170參考圖片

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IXBT42N170

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1700V 80A 360W TO268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
BIMOSFET?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1700V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，42A
功率 - 最大值
360W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
188nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
1.32μs
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:6080
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 100W TO3PF
暫無價格
參考庫存:7527
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
暫無價格
參考庫存:40975
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 60A 176W TO3PN
暫無價格
參考庫存:40983
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 180W TO220
暫無價格
參考庫存:6320
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