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UGBT、MOSFET - 單
HGTP12N60A4D參考圖片

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HGTP12N60A4D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 54A 167W TO220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
54A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
96A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.7V @ 15V,12A
功率 - 最大值
167W
開關能量
55μJ(開),50μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
78nC
25°C 時 Td(開/關)值
17ns/96ns
測試條件
390V,12A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
30ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO220
暫無價格
參考庫存:43564
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 150W TO268
暫無價格
參考庫存:43572
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
暫無價格
參考庫存:43580
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 13A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43596
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:43604
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