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UGBT、MOSFET - 單
FGA25N120ANTDTU-F109參考圖片

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FGA25N120ANTDTU-F109

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 50A 312W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT 和溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
50A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
90A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.65V @ 15V,50A
功率 - 最大值
312W
開關能量
4.1mJ(開),960μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
200nC
25°C 時 Td(開/關)值
50ns/190ns
測試條件
600V,25A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
350ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3,SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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