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UGBT、MOSFET - 單

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NGTD28T65F2WP

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
650V
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，75A
功率 - 最大值
2V @ 15V，75A
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
標準
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
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圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 100A 340W TO-247AB
暫無價格
參考庫存:14004
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:13756
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 300W TO263AA
暫無價格
參考庫存:10328
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 7A 22W TO220FP
暫無價格
參考庫存:12622
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 250W TO268
暫無價格
參考庫存:45333
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