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UGBT、MOSFET - 單
IXBT20N360HV參考圖片

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IXBT20N360HV

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 3600V 70A TO-268HV
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
BIMOSFET?
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
3600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
220A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
3.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值
430W
開關能量
15.5mJ（開），4.3mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
110nC
25°C 時 Td（開/關）值
18ns/238ns
測試條件
1500V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
1.7μs
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 400V 45W DPAK
暫無價格
參考庫存:33718
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO247-3
暫無價格
參考庫存:33726
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 76A 268W TO247
暫無價格
參考庫存:33734
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 260W D2PAK
暫無價格
參考庫存:33742
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 59A 246W TO-262
暫無價格
參考庫存:33758
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