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UGBT、MOSFET - 單
STGB20H60DF參考圖片

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STGB20H60DF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
167W
開關能量
209μJ（開），261μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
115nC
25°C 時 Td（開/關）值
42.5ns/177ns
測試條件
400V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
90ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
商品其它信息
優勢價格，STGB20H60DF的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:38730
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 22A 156W D2PAK
暫無價格
參考庫存:38738
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:38746
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO220AB
暫無價格
參考庫存:38754
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:38762
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