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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
FGD3N60LSDTM參考圖片

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FGD3N60LSDTM

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 6A 40W DPAK
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
25A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
1.5V @ 10V,3A
功率 - 最大值
40W
開關(guān)能量
250μJ(開),1mJ(關(guān))
輸入類型
標準
柵極電荷
12.5nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
40ns/600ns
測試條件
480V,3A,470 歐姆,10V
反向恢復(fù)時間(trr)
234ns
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝
D-Pak
商品其它信息
優(yōu)勢價格,F(xiàn)GD3N60LSDTM的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 442V 40A 200W D2PAK
暫無價格
參考庫存:38307
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK
暫無價格
參考庫存:38315
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 833W TMAX
暫無價格
參考庫存:3757
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
暫無價格
參考庫存:38325
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 300W TO247AD
暫無價格
參考庫存:38333
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