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UGBT、MOSFET - 單

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DGTD65T40S2PT

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.3V @ 15V，40A
功率 - 最大值
230W
開關能量
500μJ（開），400μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
60nC
25°C 時 Td（開/關）值
6ns/55ns
測試條件
400V，40A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
60ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 280W TO268
暫無價格
參考庫存:31852
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
暫無價格
參考庫存:31860
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 400V 45W DPAK
暫無價格
參考庫存:31868
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 77W DPAK
暫無價格
參考庫存:31876
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 12A 68W TO263-3
暫無價格
參考庫存:31884
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