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FET,MOSFET - 陣列
BSG0810NDIATMA1參考圖片

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BSG0810NDIATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N 溝道(雙)非對稱型
FET 功能
邏輯電平柵極,4.5V 驅動
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
19A, 39A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1040pF @ 12V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 155°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商器件封裝
PG-TISON-8
商品其它信息
優勢價格,BSG0810NDIATMA1的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
暫無價格
參考庫存:45307
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
暫無價格
參考庫存:45323
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6
暫無價格
參考庫存:45331
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
暫無價格
參考庫存:45363
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:45379
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