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參數 | 參數值 |
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包裝
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散裝
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系列
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-
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零件狀態
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有源
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FET 類型
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2 個 N 通道(半橋)
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FET 功能
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碳化硅 (SiC)
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漏源電壓(Vdss)
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1200V(1.2kV)
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電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
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55A(Tc)
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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49 毫歐 @ 40A,20V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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2.2V @ 2mA(標準)
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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98nC @ 20V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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1900pF @ 1000V
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功率 - 最大值
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250W
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工作溫度
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-40°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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底座安裝
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封裝/外殼
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SP1
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供應商器件封裝
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SP1
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 陣列
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T6 40V LL S08FL DS
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暫無價格
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參考庫存:25978
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
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暫無價格
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參考庫存:46828
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN
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暫無價格
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參考庫存:46836
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
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暫無價格
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參考庫存:46852
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FET,MOSFET - 陣列
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MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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暫無價格
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參考庫存:46876
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