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FET，MOSFET - 陣列
SI4963BDY-T1-GE3參考圖片

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SI4963BDY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 P 溝道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.9A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
32 毫歐 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
21nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 100V 3.3A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:50022
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8
暫無價格
參考庫存:288782
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
暫無價格
參考庫存:50032
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
暫無價格
參考庫存:50040
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 8TDSON
暫無價格
參考庫存:50106
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