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FET,MOSFET - 單個
IXTA64N10L2-TRL參考圖片

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IXTA64N10L2-TRL

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
64A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
32 毫歐 @ 32A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3620pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
357W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263(IXTA)
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
HIGH POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:50243
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:50251
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
暫無價格
參考庫存:50259
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
暫無價格
參考庫存:50267
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:50275
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