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FET，MOSFET - 單個
UF3C065080K4S參考圖片

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UF3C065080K4S

  • UnitedSiC
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（共源共柵 SiCJFET）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
31A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 20A，12V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
43nC @ 12V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-4
封裝/外殼
TO-247-4
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
暫無價格
參考庫存:33705
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH TO262-3
暫無價格
參考庫存:33721
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
暫無價格
參考庫存:33729
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
暫無價格
參考庫存:33737
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33769
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