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FET，MOSFET - 單個
IXFA10N80P參考圖片

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IXFA10N80P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?，PolarHT?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.1 歐姆 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2050pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（IXFA）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
暫無價格
參考庫存:32324
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
暫無價格
參考庫存:30385
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
暫無價格
參考庫存:30393
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
暫無價格
參考庫存:30401
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
暫無價格
參考庫存:30409
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