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FET，MOSFET - 單個
UJ3C065030B3參考圖片

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UJ3C065030B3

  • UnitedSiC
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 65A TO263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（共源共柵 SiCJFET）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
65A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
35 毫歐 @ 50A，12V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
51nC @ 15V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
242W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（D2Pak）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO263-7
暫無價格
參考庫存:40213
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
暫無價格
參考庫存:40221
FET，MOSFET - 單個
MOSFET_(75V 120V(
暫無價格
參考庫存:40229
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
暫無價格
參考庫存:40261
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
暫無價格
參考庫存:40269
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