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FET，MOSFET - 單個

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STW20N60M2-EP

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh? M2-EP
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
13A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
278 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
21.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
787pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V TO220-3
暫無價格
參考庫存:50275
FET，MOSFET - 單個
TRENCH 40
暫無價格
參考庫存:50283
FET，MOSFET - 單個
LOW POWER_NEW
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FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 100V 35A IPAK
暫無價格
參考庫存:50315
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MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
暫無價格
參考庫存:50371
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