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FET，MOSFET - 單個
IPB180N04S4L01ATMA1參考圖片

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IPB180N04S4L01ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101，OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.2 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 140μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
245nC @ 10V
Vgs（最大值）
+20V，-16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
19100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
188W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-7-3
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 18-LCC
暫無價格
參考庫存:40991
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP
暫無價格
參考庫存:40999
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
暫無價格
參考庫存:41007
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
暫無價格
參考庫存:41023
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:27414
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