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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S20N60A4S9A參考圖片

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HGT1S20N60A4S9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 70A 290W TO263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
280A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，20A
功率 - 最大值
290W
開關能量
105μJ（開），150μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
142nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/73ns
測試條件
390V，20A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
390V，20A，3 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1600V 75A 240W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:41184
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 6A 30W DPAK
暫無價格
參考庫存:41192
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
暫無價格
參考庫存:41200
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 7A 22W TO220FP
暫無價格
參考庫存:41208
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 390W TO247AC
暫無價格
參考庫存:41216
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