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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
HGTD1N120BNS9A參考圖片

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HGTD1N120BNS9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
5.3A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
6A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.9V @ 15V,1A
功率 - 最大值
60W
開關(guān)能量
70μJ(開),90μJ(關(guān))
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
14nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值
15ns/67ns
測試條件
960V,1A,82 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr)
960V,1A,82 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝
TO-252AA
商品其它信息
優(yōu)勢價格,HGTD1N120BNS9A的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 6A 75W TO268
暫無價格
參考庫存:7773
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO247-3
暫無價格
參考庫存:12685
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 38A 165W TO247
暫無價格
參考庫存:42493
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1350V 30A 170W TO247
暫無價格
參考庫存:42501
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 170A 750W TO247
暫無價格
參考庫存:42509
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