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UGBT、MOSFET - 單

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AIHD10N60RFATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
30A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，10A
功率 - 最大值
150W
開關能量
190μJ（開），160μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
64nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/168ns
測試條件
400V，10A，26 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，10A，26 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
PG-TO252-3-313
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 69A 417W TO247
暫無價格
參考庫存:41141
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 290W TO247
暫無價格
參考庫存:8218
UGBT、MOSFET - 單
BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A
暫無價格
參考庫存:6120
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:41153
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 2500V 235A TO-247HV
暫無價格
參考庫存:6105
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