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UGBT、MOSFET - 單
STGD3NB60SD-1參考圖片

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STGD3NB60SD-1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
PowerMESH?
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
25A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.5V @ 15V，3A
功率 - 最大值
48W
開關能量
1.1mJ（開），1.15mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
18nC
25°C 時 Td（開/關）值
125μs/3.4μs
測試條件
480V，3A，1 千歐，15V
反向恢復時間（trr）
1.7μs
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 4A SAWN ON FOIL
暫無價格
參考庫存:41256
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
暫無價格
參考庫存:41272
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:41280
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
暫無價格
參考庫存:41288
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
暫無價格
參考庫存:41296
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