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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S3N60A4DS9A參考圖片

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HGT1S3N60A4DS9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 17A 70W D2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
17A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
40A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，3A
功率 - 最大值
70W
開關能量
37μJ（開），25μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
21nC
25°C 時 Td（開/關）值
6ns/73ns
測試條件
390V，3A，50 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
29ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:41912
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:41920
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 34A 100W TO247AC
暫無價格
參考庫存:41928
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 32A 140W TO247AD
暫無價格
參考庫存:41936
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W TO268
暫無價格
參考庫存:41944
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