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UGBT、MOSFET - 單
IXYP10N65B3D1參考圖片

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IXYP10N65B3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
32A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
62A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.95V @ 15V，10A
功率 - 最大值
160W
開關能量
300μJ（開），200μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
20nC
25°C 時 Td（開/關）值
17ns/125ns
測試條件
400V，10A，50 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
29ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 140A 454W TO247AC
暫無價格
參考庫存:38506
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:38514
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
暫無價格
參考庫存:38522
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 22A 66W DPAK
暫無價格
參考庫存:38530
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
暫無價格
參考庫存:38538
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