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UGBT、MOSFET - 單
NGB8206N參考圖片

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NGB8206N

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 390V 20A 150W D2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
390V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.9V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值
150W
開關能量
-
輸入類型
邏輯
柵極電荷
邏輯
25°C 時 Td（開/關）值
-/5μs
測試條件
300V，9A，1 千歐，5V
反向恢復時間（trr）
300V，9A，1 千歐，5V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 55A 200W TO268
暫無價格
參考庫存:39428
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A TO247
暫無價格
參考庫存:39436
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 11A 60W TO262
暫無價格
參考庫存:39444
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 66A 190W TO247
暫無價格
參考庫存:39452
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 50A 200W TO247
暫無價格
參考庫存:39460
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