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UGBT、MOSFET - 單
IXYP10N65C3D1M參考圖片

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IXYP10N65C3D1M

  • IXYS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
15A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.6V @ 15V，10A
功率 - 最大值
53W
開關能量
240μJ（開），170μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
18nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/77ns
測試條件
400V，10A，50 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
26ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應商器件封裝
TO-220 隔離的標片
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
暫無價格
參考庫存:32256
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1400V 70A 300W TO247
暫無價格
參考庫存:32264
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 70A 300W TO264
暫無價格
參考庫存:32272
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO263
暫無價格
參考庫存:32280
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A 125W D2PAK
暫無價格
參考庫存:32288
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