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UGBT、MOSFET - 單
IGB01N120H2ATMA1參考圖片

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IGB01N120H2ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
最後搶購
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
3.2A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
3.5A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，1A
功率 - 最大值
28W
開關能量
140μJ
輸入類型
標準
柵極電荷
8.6nC
25°C 時 Td（開/關）值
13ns/370ns
測試條件
800V，1A，241 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
800V，1A，241 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
暫無價格
參考庫存:41888
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 166W TO247-3
暫無價格
參考庫存:41896
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
暫無價格
參考庫存:41904
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:41912
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:41920
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