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UGBT、MOSFET - 單
APT102GA60B2參考圖片

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APT102GA60B2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS 8?
零件狀態
停產
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
183A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
307A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，62A
功率 - 最大值
780W
開關能量
1.354mJ（開）， 1.614mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
294nC
25°C 時 Td（開/關）值
28ns/212ns
測試條件
400V，62A，4.7 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，62A，4.7 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應商器件封裝
TO-247-3 變式
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 45A 195W TO220
暫無價格
參考庫存:35754
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
暫無價格
參考庫存:35762
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 100W TO3PF
暫無價格
參考庫存:35770
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 8A 35W TO220F
暫無價格
參考庫存:35778
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 60A 180W TO264
暫無價格
參考庫存:35786
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