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UGBT、MOSFET - 單
IXYN75N65C3D1參考圖片

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IXYN75N65C3D1

  • IXYS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
150A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
360A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.3V @ 15V，60A
功率 - 最大值
600W
開關能量
2mJ（開），950μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
122nC
25°C 時 Td（開/關）值
26ns/93ns
測試條件
400V，60A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
65ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝
SOT-227B
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 60A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:11662
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 35A 125W TO220
暫無價格
參考庫存:10969
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 70W DPAK
暫無價格
參考庫存:45027
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS
暫無價格
參考庫存:9984
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 96A 543W TO247
暫無價格
參考庫存:9961
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