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UGBT、MOSFET - 單
HGTD7N60C3S9A參考圖片

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HGTD7N60C3S9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 14A 60W TO252AA
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
14A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
56A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，7A
功率 - 最大值
60W
開關能量
165μJ（開），600μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
23nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:35794
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 41W TO220F
暫無價格
參考庫存:35802
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 85A 320W TO247AC
暫無價格
參考庫存:35810
UGBT、MOSFET - 單
IGBT DISCRETES
暫無價格
參考庫存:35818
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 201W TO3P
暫無價格
參考庫存:35826
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