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UGBT、MOSFET - 單
IXXH40N65B4D1參考圖片

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IXXH40N65B4D1

  • IXYS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?，GenX4?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
115A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
225A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
455W
開關能量
1.4mJ（開），800μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
66nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/115ns
測試條件
400V，40A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
60ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
暫無價格
參考庫存:40830
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 15A SAWN ON FOIL
暫無價格
參考庫存:40846
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 75A SGL TO-247-4
暫無價格
參考庫存:40854
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 32A 350W PLUS247
暫無價格
參考庫存:40862
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:40870
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