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UGBT、MOSFET - 單
STGP4M65DF2參考圖片

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STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
M
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
16A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68W
開關能量
40μJ（開），136μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
15.2nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/86ns
測試條件
400V，4A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
133ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 283W TO247
暫無價格
參考庫存:9944
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 60A 375W TO-3P
暫無價格
參考庫存:42107
UGBT、MOSFET - 單
FIELD STOP TRENCH IGBT
暫無價格
參考庫存:11954
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 290W TO247
暫無價格
參考庫存:11458
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 120A 469W MAX247
暫無價格
參考庫存:8770
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