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UGBT、MOSFET - 單

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IXYQ30N65B3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?，XPT?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
270W
開關能量
830μJ（開），640μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
45nC
25°C 時 Td（開/關）值
17ns/87ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
38ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
暫無價格
參考庫存:36365
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
暫無價格
參考庫存:36373
UGBT、MOSFET - 單
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
暫無價格
參考庫存:3470
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 469W TO247
暫無價格
參考庫存:4037
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 60W DPAK
暫無價格
參考庫存:36385
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