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UGBT、MOSFET - 單

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IXYQ30N65B3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?，XPT?
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
270W
開關能量
830μJ（開），640μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
45nC
25°C 時 Td（開/關）值
17ns/87ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
38ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
優(yōu)勢價格，IXYQ30N65B3D1的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 49W TO262
暫無價格
參考庫存:33206
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
暫無價格
參考庫存:33214
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
暫無價格
參考庫存:33222
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 55A 200W TO264
暫無價格
參考庫存:33230
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A 25W TO220FP
暫無價格
參考庫存:33238
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