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UGBT、MOSFET - 單
FGA50T65SHD參考圖片

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FGA50T65SHD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
150A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
319W
開關能量
1.28mJ（開），384μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
87nC
25°C 時 Td（開/關）值
22.4ns/73.6ns
測試條件
400V，50A，6 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
34.6ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IXYA50N65C3 TRL
暫無價格
參考庫存:16134
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
暫無價格
參考庫存:43305
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 10A TO220
暫無價格
參考庫存:13104
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
暫無價格
參考庫存:10381
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
暫無價格
參考庫存:9658
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