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產(chǎn)品分類

UGBT、MOSFET - 單
HGT1S10N120BNS參考圖片

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HGT1S10N120BNS

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
不適用於新設計
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
35A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
80A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值
298W
開關能量
320μJ(開),800μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
100nC
25°C 時 Td(開/關)值
23ns/165ns
測試條件
960V,10A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
960V,10A,10 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,HGT1S10N120BNS的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 2500V 60A 250W PLUS220SMD
暫無價格
參考庫存:31188
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 12A TO252-3
暫無價格
參考庫存:31196
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 100W TO247
暫無價格
參考庫存:31204
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
暫無價格
參考庫存:31212
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:31220
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