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UGBT、MOSFET - 單
IXYX100N65B3D1參考圖片

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IXYX100N65B3D1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
GenX3?,XPT?
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
225A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
460A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
1.85V @ 15V,70A
功率 - 最大值
830W
開關能量
1.27mJ(開),1.37mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
168nC
25°C 時 Td(開/關)值
29ns/150ns
測試條件
400V,50A,3 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
156ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
PLUS247?-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 36A 178W TO247-3
暫無價格
參考庫存:42740
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V D2-PAK
暫無價格
參考庫存:42748
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
暫無價格
參考庫存:42756
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:42764
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 56A 190W TO247
暫無價格
參考庫存:42772
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