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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S2N120CN參考圖片

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HGT1S2N120CN

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
13A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
20A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.4V @ 15V，2.6A
功率 - 最大值
104W
開關能量
96μJ（開），355μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
30nC
25°C 時 Td（開/關）值
25ns/205ns
測試條件
960V，2.6A，51 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
960V，2.6A，51 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
供應商器件封裝
TO-262
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
暫無價格
參考庫存:44068
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 303W TO247-3
暫無價格
參考庫存:44076
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
暫無價格
參考庫存:44084
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
暫無價格
參考庫存:44092
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 11.8A 34W TO220FP
暫無價格
參考庫存:44100
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