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UGBT、MOSFET - 單
FGA6530WDF參考圖片

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FGA6530WDF

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 60A 176W TO3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
176W
開關能量
960μJ（開），162μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
37.4nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/42.4ns
測試條件
400V，30A，6 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
81ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
暫無價格
參考庫存:35520
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 27A 138W TO263-3
暫無價格
參考庫存:35536
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 250W TO247AD
暫無價格
參考庫存:35544
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
暫無價格
參考庫存:35552
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 12A 77W DPAK
暫無價格
參考庫存:35560
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