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UGBT、MOSFET - 單
RGW80TK65DGVC11參考圖片

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RGW80TK65DGVC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
39A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值
81W
開關能量
760μJ（開），720μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
110nC
25°C 時 Td（開/關）值
44ns/143ns
測試條件
400V，40A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
92ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 330V 48W TO220F
暫無價格
參考庫存:33118
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 100A DIE
暫無價格
參考庫存:33126
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 59A 246W D2PAK
暫無價格
參考庫存:33134
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
暫無價格
參考庫存:33142
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A TO247AD
暫無價格
參考庫存:33150
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