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UGBT、MOSFET - 單
FGD3N60UNDF參考圖片

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FGD3N60UNDF

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 6A 60W DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
9A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.52V @ 15V，3A
功率 - 最大值
60W
開關能量
52μJ（開），30μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
1.6nC
25°C 時 Td（開/關）值
5.5ns/22ns
測試條件
400V，3A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
21ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 120A TO3P
暫無價格
參考庫存:36883
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 10A 140W TO247
暫無價格
參考庫存:36891
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 220A 400W SMPD
暫無價格
參考庫存:3938
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
暫無價格
參考庫存:36901
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
暫無價格
參考庫存:2068
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